Ceci est possible grâce à la symétrie du spectre, ce qui n’est pas le cas général : lorsqu’on dépose le Si-poly directement, par exemple à 640–660 ℃, deux éléments apportent leurs contributions au pic : les grands grains (plusieurs centaines de nm) avec un pic décalé selon le stress, et un deuxième, non décalé par rapport au mono-cristal, appartenant aux petits grains [98].