5.2 Résultats expérimentaux

5.2. Résultats expérimentaux

Dans la figure 5.2

FIG. 5.2:

Courbe I(V ) sous éclairage de la diode pin.

la courbe I(V ) est tracée sous éclairage de 100 ^mW/_cm² par une lampe halogène. On peut tirer d’une telle mesure plusieurs paramètres :

le courant de court-circuit I_cc, ou plutôt sa valeur absolue ;
la tension de circuit ouvert V _co ;
le facteur de forme FF, qui indique le rapport entre la puissance maximale et le produit entre I_cc et V _co :
$P FF = --max- . IccVco$ (5.1)

À partir de ces caractéristiques on peut calculer le rendement selon

FF-IccVco- j = PiS

(5.2)

avec la puissance incidente P_i et la surface de la cellule S. Dans le tableau 5.2

TAB. 5.2:

Caractéristiques de la diode pin sans et avec RTA.

	V _co (V)	I_cc (A)	FF
sans RTA	0,083	6,7 × 10^-5	28 %	0,5
avec RTA	0,144	1,3 × 10^-4	35 %	2,1

nous résumons les caractéristiques de notre diode. Celles d’une deuxième diode de la même géométrie et le même recuit SPC, mais avec un « RTA » (voir section 3.7.2) supplémentaire, sont reportés également. Le courant de court-circuit et également le FF étant dégradé par la résistance série supplémentaire dans notre diode, nous voulons ici comparer essentiellement la tension de circuit ouvert avec celle des diodes déposées par LPCVD. Cette tension est un bon indicateur de la qualité de la couche intrinsèque, qui est la couche active dans cette structure, puisqu’elle diminue fortement avec un taux de recombinaison élevée. Nous observons, que le V co de 83 mV est particulièrement élevée par rapport aux valeurs autour de 50 mV obtenus par KIS-SION, qui a réalisé des diodes avec des dépôts LPCVD. Avec un recuit supplémentaire à haute température (RTA) nous avons pu visiblement augmenter la qualité de notre matériau considérablement, comme le V _co le témoigne. Nous observons également une forte augmentation de I_cc, qui est liée également à une diminution de recombinaison mais aussi à une diminution de la résistance série. En effet, les conductivités de nos couches dopées peuvent être multipliées par un facteur deux à trois grâce au RTA, comme les mesures à quatre pointes³ nous l’ont confirmé.

À cause des résultats obtenus en section 3.7.3, nous avons réalisé en plus une diode cristallisée par nickel. Comme mentionné dans la section 3.7.3, nous ne savons pas évaluer la quantité de nickel introduite dans la couche. Comme il est connu, que le nickel augmente considérablement le taux de recombinaison, notre essai consiste surtout à déterminer, si notre apport de nickel est suffisamment faible, pour ne pas détruire le fonctionnement de la diode. Nos résultats montrent, que malgré la forte augmentation de la mobilité —probablement due à une taille de grain plus importante— la cristallisation induite par le nickel ne semble pas adaptée aux cellules solaires : le V _co et le I_cc mesurés sont quasiment nuls.

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