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4.2.  Influence du dopage sur la vitesse de dépôt

Nous montrons sur la figure  4.4

PIC
FIG. 4.4: V d en fonction de CX =_ CB pour les deux séries B1 et B2 (vert), et CX =_ CAs pour la série As (rouge).
l’allure croissante de la vitesse de dépôt en fonction de CB resp. CAs pour les trois séries de dépôt As, B1 et B2. Quant aux séries B1 et B2, ce phénomène d’exaltation de la vitesse de dépôt est dû, selon plusieurs auteurs [42, 75, 91], à un effet catalytique du diborane pour les réactions en phase gazeuse à travers la formation de borine (BH3). Nous pouvons confirmer ceci, par l’observation d’une formation de poudre plus élevée, lorsque le débit de diborane augmente. NAKAYAMA et al. [91], qui ont étudié les effets de dopage avec le système de gaz disilane, diborane et hélium, ont par ailleurs noté un effet catalytique en surface par des sites de bore adsorbés sur celle-ci. Leurs résultats montrent, que la réaction
Si2H6 ---> SiH4 + SiH2
(4.1)

est accélérée à travers ces sites. Il est possible, que cet effet joue également un rôle dans notre cas.

Quant aux effets de l’arsine sur la vitesse de dépôt, nous n’avons pas trouvé d’études dans la littérature. D’après la courbe tracée en rouge sur la figure  4.4 nous pouvons constater une légère augmentation de V d avec l’apport d’arsine, mais il ne nous est pas possible d’en donner les origines.

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