NOUS ALLONS VOIR dans cette partie les influences respectives d’un
apport de diborane (B2H6) ou d’arsine (AsH3) au flux de SiH4, dans le
but d’obtenir des couches dopées de Si-poly. Avec les débitmètres pour
les gaz dopants et la dilution d’1 (voir page 64), on peut varier les
débits des deux gaz de 10-4 sccm à 10-2 sccm. Nous évaluerons tout
d’abord l’incorporation du dopant dans le silicium en fonction des rapports
molaires1
des atomes dopants par rapports aux atomes de silicium —
B pour le bore et
As pour l’arsenic— et des paramètres de dépôt, pour ensuite étudier les
caractéristiques du dépôt et des couches en fonction des concentrations des atomes
dopants CB et CAs.
Comme c’est le cas pour nos dépôts non dopés, nos couches sont toujours déposées amorphes indépendamment du débit d’un gaz dopant. Ceci est une remarque importante, puisque à plus basse pression, dans le cas de dépôt par LPCVD, un apport de diborane peut provoquer un dépôt directement cristallisé au lieu d’un dépôt amorphe [18].