4.  Le dopage in situ

NOUS ALLONS VOIR dans cette partie les influences respectives d’un apport de diborane (B2H6) ou d’arsine (AsH3) au flux de SiH4, dans le but d’obtenir des couches dopées de Si-poly. Avec les débitmètres pour les gaz dopants et la dilution d’1%o  (voir page  64), on peut varier les débits des deux gaz de 10-4 sccm à 10-2 sccm. Nous évaluerons tout d’abord l’incorporation du dopant dans le silicium en fonction des rapports molaires1 des atomes dopants par rapports aux atomes de silicium —GB pour le bore et GAs pour l’arsenic— et des paramètres de dépôt, pour ensuite étudier les caractéristiques du dépôt et des couches en fonction des concentrations des atomes dopants CB et CAs.

Comme c’est le cas pour nos dépôts non dopés, nos couches sont toujours déposées amorphes indépendamment du débit d’un gaz dopant. Ceci est une remarque importante, puisque à plus basse pression, dans le cas de dépôt par LPCVD, un apport de diborane peut provoquer un dépôt directement cristallisé au lieu d’un dépôt amorphe [18].

4.1 Incorporation du dopant dans le silicium
4.1.1 Influence des paramètres de dépôt
4.1.2 Influence des débits des gaz dopants
4.2 Influence du dopage sur la vitesse de dépôt
4.3 Effets du dopage au bore sur la cristallisation
4.4 Propriétés électriques
4.4.1 Le dopage au bore
4.4.2 Le dopage à l’arsenic
4.4.3 Discussion