4.  Le dopage in situ

NOUS ALLONS VOIR dans cette partie les influences respectives d’un apport de diborane (B₂H₆) ou d’arsine (AsH₃) au flux de SiH₄, dans le but d’obtenir des couches dopées de Si-poly. Avec les débitmètres pour les gaz dopants et la dilution d’1 (voir page  64), on peut varier les débits des deux gaz de 10^-4 sccm à 10^-2 sccm. Nous évaluerons tout d’abord l’incorporation du dopant dans le silicium en fonction des rapports molaires¹ des atomes dopants par rapports aux atomes de silicium —_B pour le bore et _As pour l’arsenic— et des paramètres de dépôt, pour ensuite étudier les caractéristiques du dépôt et des couches en fonction des concentrations des atomes dopants C_B et C_As.

Comme c’est le cas pour nos dépôts non dopés, nos couches sont toujours déposées amorphes indépendamment du débit d’un gaz dopant. Ceci est une remarque importante, puisque à plus basse pression, dans le cas de dépôt par LPCVD, un apport de diborane peut provoquer un dépôt directement cristallisé au lieu d’un dépôt amorphe [18].