CE CHAPITRE concerne l’étude des couches de silicium non intentionnellement dopées, déposées par SAPCVD sur des substrats de verre1 d’épaisseur d’1 mm et de surface carrée de 26 cm2. Ces travaux ont exploré une gamme de pression allant de 25 mbar à 800 mbar, selon la température du substrat, qui était située entre 540 ℃ et 620 ℃. Dans une première partie, nous allons discuter les relations entre les flux des gaz et les pressions partielles et expliquer, pourquoi les flux ne seront pas changés au cours de la présente étude.
Après une présentation de la cinétique du dépôt et de l’homogénéité de l’épaisseur des couches en fonction des deux paramètres mentionnées plus haut, nous décrirons la cristallisation du matériau, déposé amorphe. Nous analyserons ensuite les caractéristiques structurales, optiques et électriques du silicium polycristallin en fonction des paramètres de dépôt et de cristallisation. Pour terminer, quelques essais d’optimisation2 seront présentés.