Introduction
1.  Le silicium polycristallin: structure et méthodes de fabrication
 1.1.  Propriétés du matériau
  1.1.1.  Le silicium mono-cristallin
  1.1.2.  Le silicium amorphe
  1.1.3.  Le silicium polycristallin
 1.2.  Les procédés de fabrication de couches minces de silicium
  1.2.1.  Les dépôts à faible vitesse
  1.2.2.  Les dépôts à grande vitesse
  1.2.3.  Les méthodes de cristallisation
  1.2.4.  Hydrogénation
2.  Le réacteur SAPCVD
 2.1.  Le réacteur de dépôt
 2.2.  Le réglage de la pression
 2.3.  Le système de chauffage: problèmes et modifications
 2.4.  La technique de pompage
 2.5.  Distribution de gaz
 2.6.  Résumé
3.  Dépôt sur verre non intentionnellement dopé
 3.1.  Les flux de gaz
 3.2.  Cinétique de dépôt
  3.2.1.  Le choix de gaz de dilution
  3.2.2.  Influence de la température sur la vitesse de dépôt
  3.2.3.  Influence de la pression sur la vitesse de dépôt
  3.2.4.  Discussion et interprétation
 3.3.  L’inhomogénéité des couches
 3.4.  Analyse des couches amorphes
  3.4.1.  Conductivité électrique
  3.4.2.  Densité de liaisons pendantes
 3.5.  Cristallisation des couches déposées amorphes par SPC
  3.5.1.  Interprétation de la conductivité pendant le recuit
  3.5.2.  Influence des paramètres de dépôt sur la vitesse de croissance des grains
  3.5.3.  Influence des paramètres de dépôt sur la vitesse de nucléation
 3.6.  Analyse des couches cristallisées
  3.6.1.  Mesures de diffraction RAMAN
  3.6.2.  Propriétés optiques et électriques
  3.6.3.  Conclusion
 3.7.  Optimisation du matériau
  3.7.1.  Réduction des impuretés
  3.7.2.  Recuit thermique à haute température
  3.7.3.  Induction de cristallisation par un dépôt de nickel
  3.7.4.  Conclusion
4.  Le dopage in situ
 4.1.  Incorporation du dopant dans le silicium
  4.1.1.  Influence des paramètres de dépôt
  4.1.2.  Influence des débits des gaz dopants
 4.2.  Influence du dopage sur la vitesse de dépôt
 4.3.  Effets du dopage au bore sur la cristallisation
 4.4.  Propriétés électriques
  4.4.1.  Le dopage au bore
  4.4.2.  Le dopage à l’arsenic
  4.4.3.  Discussion
5.  Réalisation de diodes pin
 5.1.  Description technologique des diodes pin
 5.2.  Résultats expérimentaux
Conclusion
A.  Les méthodes de caractérisation
 A.1.  Mesure d’épaisseur
 A.2.  Suivi de cristallisation
 A.3.  Spectrométrie de masse d’ions secondaires ou SIMS
 A.4.  Les mesures optiques et structurales
  A.4.1.  Transmission optique
  A.4.2.  Spectroscopie RAMAN
  A.4.3.  Diffraction des rayons X
 A.5.  Les mesure électriques
  A.5.1.  Résistivité par sonde quatre pointes
  A.5.2.  Conductivité électrique
  A.5.3.  Mesure de photoconductivité (SSPC)
  A.5.4.  Mesures d’effet HALL
  A.5.5.  Mesure de longueur de diffusion ambipolaire par la méthode SSPG
 A.6.  Les mesures de densité d’états dans la bande interdite
  A.6.1.  Spectroscopie de déflexion photothermique (PDS)
  A.6.2.  Méthode du photo-courant constant (CPM)
  A.6.3.  Mesures de photo-courant modulé (MPC)
B.  Régulation de la pression
C.  Projet RTA avec lampes
Acronymes
Bibliographie